Solid-State Electronics (Полупроводниковая электроника)
/ 0
Описание
В задачу журнала «Полупроводниковая электроника» входит развитие взаимосвязи физики твердого тела и технологии полупроводниковых приборов. Журнал публикует наиболее значимые работы по следующей тематике:
- применение физики твердого тела и технологии в электронике, включая теорию и проектирование, методы измерения, подготовку полупроводниковых устройств, а также развитие измерение и экспертизу материалов;
- физика и моделирование субмикронных и наноразмерных микроэлектронных устройств, в том числе методы обработки, измерения и оценки;
- применение численных методов к имитационному моделированию твердотельных приборов и процессов; статьи по имитационным устройствам содержат экспериментальные;
- конструкции и разработки силовых полупроводниковых приборов, физика и применение сложных полупроводников и термоэлектрических, гальваномагнитных и сегнетоэлектрических устройств; твердотельные оптические устройства, включая фотопроводники и фотоприемники, солнечные элементы, электролюминесцентные устройства, солнечные элементы, лазеры и оптико-электронные устройств для хранения, передачи и обработки информации.
ISSN: 0038-1101 ISSN: 0038-1101
Выходные данные: PERGAMON
Журнал выходит с 1960 года
Аудитория
Ученые, занятые в области физики твердого тела, инженеры-электрики и инженеров по электронике.
Импакт фактор журнала
2006: 1.159
Индекс цитирования
607/589
Для читателей НТБ ПГУПСа разрешен доступ к полнотекстовым статьям журнала. Вы имеете возможность читать все статьи и рефераты статей в режиме on-line в электронной библиотеке ScienceDirect www.sciencedirect.com издательства Эльзевир www.elsevier.ru.
Приводим содержание выпуска 2 том 52 за 2008 год:
1. Editorial Board
Page IFC
2. Localised defect-induced Schottky barrier lowering in n-GaN Schottky diodes
Pages 171-174, G. Parish, R.A. Kennedy, G.A. Umana-Membreno and B.D. Nener
3. Multiple-input NOR logic design using negative differential resistance circuits implemented by standard SiGe process
Pages 175-178, Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang, Chun-Da Tu and Yaw-Hwang Chen
4. Influence of the polymer dielectric characteristics on the performance of pentacene organic field-effect transistors
Pages 179-181, K.N. Narayanan Unni, Sylvie Dabos-Seignon, Ajay K. Pandey and Jean-Michel Nunzi
5. Field effect transistor as ultrafast detector of modulated terahertz radiation
Pages 182-185, V.Yu. Kachorovskii and M.S. Shur
6. Modeling the effects of the channel electron velocity on the channel surface potential of ballistic MOSFETs
Pages 186-189, Ling-Feng Mao
7. Extraction of series resistance using physical mobility and current models for MOSFETs
Pages 190-195, Hisao Katto
8. An area efficient body contact for low and high voltage SOI MOSFET devices
Pages 196-204, Arash Daghighi, Mohamed Osman and Mohamed A. Imam
9. Characterization of cadmium telluride thin films fabricated by two-source evaporation technique and Ag doping by ion exchange process
Pages 205-210, A. Ali, N. Abbas Shah and A. Maqsood
10. High-efficiency red phosphorescent organic light-emitting diodes based on metal-microcavity structure
Pages 211-214, X.Y. Sun, W.L. Li, M.L. Xu, B. Chu, D.F. Bi, B. Li, Y.W. Hu, Z.Q. Zhang and Z.Z. Hu
11. Temperature effect of metal–oxide–semiconductor field-effect-transistors’ gate current evaluated with the mask dimensions
Pages 215-220, Chun-Chia Yeh, Chun-Feng Neih, Yen-Yu Chen and Jeng Gong
12. Dynamic response of QWS-DFB lasers with convex tapered grating structure and non-zero facet reflection
Pages 221-226, N. Bazhdanzadeh, V. Ahmadi, H. Ghafoorifard and F. Shahshahani
13. 650 nm Resonant-cavity light-emitting diodes with dielectric distributed Bragg reflectors
Pages 227-232, Po-Hsun Lei and Chyi-Dar Yang
14. An ultra-low power CMOS random number generator
Pages 233-238, Sheng-hua Zhou, Wancheng Zhang and Nan-Jian Wu
15. High performance SiGe HBT power unit-cell for S-Band open collector adaptive bias power amplifier design
Pages 239-244, Hwann-Kaeo Chiou, Ping-Chun Yeh and Kuei-Cheng Lin
16. Optical and electrochemical properties of nanosized CuO via thermal decomposition of copper oxalate
Pages 245-248, Xiaojun Zhang, Dongen Zhang, Xiaomin Ni and Huagui Zheng
17. Method of controlling spontaneous emission from porous silicon fabricated using pulsed current etching
Pages 249-254, N.K. Ali, M.R. Hashim, A. Abdul Aziz and I. Hamammu
18. Mechanisms for generation of oxide trapped charges in ultrathin silicon dioxide films during electrical stress
Pages 255-258, Piyas Samanta
19. Linearity study of multiple independent gate field effect transistor (MIGFET) under symmetric and asymmetric operations
Pages 259-263, Jing-Feng Gong and Philip C.H. Chan
20. On the recovery of interface state in pMOSFETs subjected to NBTI and SHI stress
Pages 264-268, Yangang Wang
21. Quasi-static capacitance–voltage characterizations of carrier accumulation and depletion phenomena in pentacene thin film transistors
Pages 269-274, Yi-Ming Chen, Chi-Feng Lin, Jiun-Haw Lee and JianJang Huang
22. An efficient channel segmentation approach for a large-signal NQS MOSFET model
Pages 275-281, Matthias Bucher and Antonios Bazigos
23. An explicit surface-potential-based model for undoped double-gate MOSFETs
Pages 282-288, Jing-Feng Gong, Philip C.H. Chan and Mansun Chan
24. Diffusion barrier layers for Al on GaAs native oxide grown by liquid phase chemical-enhanced oxidation
Pages 289-293/ Jian-Jiun Huang, Dei-Wei Chou, Po-Wen Sze and Yeong-Her Wang
25. High field emission enhancement of ZnO-nanorods via hydrothermal synthesis
Pages 294-298, Jing Chen, Wei Lei, Weiqiang Chai, Zichen Zhang, Chi Li and Xiaobing Zhang
26. A new analytical compact model for two-dimensional finger photodiodes
Pages 299-304, T. Naeve, M. Hohenbild and P. Seegebrecht
27. An analytical threshold voltage model for graded channel asymmetric gate stack (GCASYMGAS) surrounding gate MOSFET
Pages 305-311, Harsupreet Kaur, Sneha Kabra, Subhasis Haldar and R.S. Gupta
28. Design of a novel periodic asymmetric intra-step-barrier coupled double strained quantum well electroabsorption modulator at 1.55 μm
Pages 312-322, K. Abedi, V. Ahmadi, E. Darabi, M.K. Moravvej Farshi and M.H. Sheikhi
29. On the physical origins of mismatch in Si/SiGe:C heterojunction bipolar transistors for BiCMOS technologies
Pages 323-337, Stйphane Danaie, Mathieu Marin and Gйrard Ghibaudo
30. Current instability and single-mode THz generation in ungated two-dimensional electron gas
Pages 338-340, M.V. Cheremisin and G.G. Samsonidze
Информационный листок подготовлен Заборщиковой А. В.
Научная библиотека университета путей сообщения